memoria de núcleo magnético del núcleo magnético era un tipo que se utiliza en la mitad del siglo 20 que utiliza anillos de ferrita en suspensión en las uniones de cruce de cables. Esto hizo que una matriz de núcleos cargados que pueden ser mapeados . Los núcleos de ferrita mantienen las cargas positivas que representan bits. Aquí es donde viene el término " core dump ", una frase restos todavía se utiliza hoy en día.
Basados en transistores RAM
Cuando se inventaron los transistores , se puede usar un chip para almacenar datos en una serie de interruptores internos que fueron ya sea en o fuera sobre la base de la corriente aplicada a ellos . Esta memoria era increíblemente pequeña en comparación con los anteriores tipos de memoria y hace posible el ordenador de casa moderna. En un primer momento , la placa fue cubierta con un campo de patatas que se sueldan en la memoria y siempre que no se podía cambiar o actualizarse sin la eliminación física de los chips con un soldador .
SIMM
el módulo de memoria en línea único ( SIMM ) fue un gran paso adelante porque era una pequeña placa de circuito con los chips de memoria en lo que se podrían instalar o eliminar en un zócalo en la placa base . Este espacio ahorrado en la placa base y la memoria significado podría cambiar si se fue mal , o se actualiza con un SIMM que tenía más capacidad.
SDRAM
Synchronous Dynamic RAM (SDRAM ) fue un salto adelante en la velocidad de computación. Antes de esto , las computadoras utilizan Asynch RAM, lo que significa que el reloj de la computadora y la memoria RAM no se sincronizan . Debido a esto, la memoria RAM no siempre tienen los datos cuando la CPU se lo buscó , y la CPU podría tener que esperar una respuesta antes de realizar cálculos . Con la llegada de SDRAM, que siempre fueron cronometrados en conjunto, así que cuando había una pregunta , la memoria RAM tenía la respuesta preparada.
DDR
Double Data Rate SDRAM ( DDR ) era el mismo tipo de memoria RAM como SDRAM con una diferencia importante: se incluyó la tecnología que permite la memoria puede ser leído o escrito a al principio y al final del ciclo de reloj en lugar de sólo una vez . Esto significaba que la misma cantidad de memoria podría ser utilizado dos veces más a menudo.