* PROM (memoria de solo lectura programable): Los datos se escriben una vez, utilizando un dispositivo especial llamado programador de graduación. Una vez escrito, no se puede borrar ni reescribirse.
* EEPROM (memoria de solo lectura programable eléctricamente borrable): Los datos se pueden escribir y borrarse eléctricamente, en bytes o bloques individuales, muchas veces. Esto es más lento que la memoria flash, pero ofrece más flexibilidad para las actualizaciones de bytes individuales.
* Memoria flash: Los datos se escriben y borran en bloques, en lugar de bytes individuales. Es más rápido que EEPROM para escribir y borrar grandes bloques de datos, pero generalmente más lento para modificaciones de bytes individuales. También tiene un número limitado de ciclos de escritura/borrado antes de que comience a desgastarse.
En resumen, todos no son volátiles, pero difieren en su programabilidad y el método de escribir y borrar datos.